N型半导体主要靠多数载流子导电
与N型相反,P型半导体主要靠空穴导电
杂志半导体
N型半导体
参杂的物质越多,带电载流子越多。
P型半导体
空穴数量多。
杂质半导体:P型半导体,空穴多
杂质半导体:N型半导体,自由电子多
杂质半导体:N型/P型半导体
N:自由电子数量多,杂质越多,多数载流子浓度越高,导电能力越强
P:主要空穴导电,掺入杂质越多,空穴浓度越高,导电性越强。
杂质半导体
p区和N区之间有浓度掺杂的差度,所以P区的多子空穴会向N区扩散,导致P区留下带-电的离子,所以P区呈现负电
PN 结附近的载流子就全部复合了,此时这一区域只剩下了不能移动的带电离子,这一区域就被称为空间电荷区,也就是势垒区(耗尽区,空间电荷区)。
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