
N型半导体主要靠多数载流子导电

与N型相反,P型半导体主要靠空穴导电

总结:本征半导体需要高温才开始导电,所以实际应用的比较少~!

就是共价键电子一般时候比较牢固?

半导体
本章目录

场效应管与三极管
场效应管及其放大电路
放大的概念

放大的电路需要独立电源。
性能指标

二端口网络
放大倍数

输入电阻和输出电阻


输入电阻跟输入电压和输入电流有关,输出电阻跟负载有关。
3.通频带

一个放大电路是否能正常工作,跟输入源的信号频率有关,即信号频率必须在正常范围内,过高或过低都会导致电路无法正常工作。

通频带是放大电路能正常工作的频段。计算方式是上限频率减去下限频率。
放大倍数

晶体管的共射输入特性和输出特性
输入特性
图横坐标u(BE):基极和发射极之间的电压
图纵坐标i(B):基极和发射极之间的电流

u(BE)和i(B)存在一种映射关系。
输出特性

总结
PN结的单向导电性和导电原理

晶体管的放大原理
放大条件

发射结正偏:U(BE)是基极和发射极之间的电压,要求该电压正向,并且大于开启电压U(ON),此时输入回路导通。加在电路中的电源V(BB)要正向作用于基极和发射极之间,电压值大于开启电压。
集电极反偏:U(CE)是集电极和发射极之间的电压。该电压要大于基极和发射极之间的电压。集电极和发射极之间的电源V(CC)电压大于V(BB),形成集电极反偏。
电路电流放大的实现要基于这两个条件。
电流分配
发射极电流等于基极电流与集电极电流之和
直流电流放大系数
交流电流放大系数

晶体三极管
晶体管的结构和符号

NPN型三极管
PNP型三极管
二极管的伏安特性和电流方程
电流方程
反向饱和电流Is和反向击穿电压U(BR)
正向导通电压

二极管的伏安特性
单向导电性

2.二极管伏安特性受温度影响

二极管的组成

分类

点接触型
面接触型
平面型
PN结的导电原理

PN结的形成

漂移运动

PN结加正向电压导通;加负向电压截止。

势垒电容

扩散电容

杂志半导体
N型半导体
参杂的物质越多,带电载流子越多。

P型半导体
空穴数量多。

半导体
分类
本征半导体
杂志半导体


本征半导体的结构

自由电子和空穴同对出现。
复合

载流子

载流子:自由电子,空穴。
空穴带正电,自由电子带负电。
载流子的数量决定了本征半导体的导电性。
本征半导体的导电规律

模拟电路的常用仪器
万用表
示波器
-软件
Multisim



模拟电路术语和仪器简介


模拟电路的常用术语
信号频率
电容
电感
相位
信号失真
电导
跨导
电位(电势)
同相输入和单相输入
电平
容抗









模拟电子技术的常用术语
共价键
电场
电场力
温度的电压当量
闭合电路中,由于两点之间存在温差而出现的电位差,称为温度的电压当量。
动态信号(随时间变化的信号)
直流电流和交流电流
内阻

模拟信号与模拟电路
模拟信号:光滑的、连续的信号。
模拟电路:处理模拟信号的电路。
电子信息系统的组成:
信号提取(通过传感器提取),预处理(隔离、滤波、放大),A/D(模拟转数字信号),数字系统,D/A(数字转模拟信号),驱动执行(功放和执行机构)。
模电主要研究信号提取,预处理和驱动执行三部分的内容。
什么是嵌入式系统?
嵌入式软件与通用计算机软件的区别?
嵌入式开发学习路线
ARM:目前主流的嵌入式处理芯片版本。

嵌入式操作系统:Linux系统的原理,系统移植(操作系统的移植,uBoot操作代码的移植)
学习路径图记录一下

黑表笔接地,接在com口
共价键
电场
电场力
温度的电压当量:闭合电路中,由于两点间存在温差而出现的电位差。称为温度的电压当量。
动态信号:随时间变化的信号
直流电、交流电
内阻:内电阻,对电源或仪表说的。电流表内阻尽量小,电压表内阻尽量大。
本节课重点内容




1.电容直流断交流短


1.基本共射电路图(通过三极管将输入放大成输出,且共一个发射点)





1.性能指标(信号源 信号源内阻 输入电流 输入电压 输出电流 输出电压 )

晶体管的输入和输出特性

晶体管的放大条件及电流分配
晶体管的结构与符号